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IKB20N60T
来自 AiPCBA

IKB20N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
描述:IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
PDF文件:IKB20N60T 数据手册 (13 页)
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焊盘图
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IKB20N60T 数据手册 (13 页)
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IKB20N60T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率166 W
功耗166 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间41 ns
额定功率(Max)166 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
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IKB20N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.57 mm
工作温度-40℃ ~ 175℃
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IKB20N60T 数据手册

IKB20N60T 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.68 MByte
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