| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 110 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 115 ns |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.36 mm |
| 宽度 | 4.57 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ |
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V
●一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
● 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
● 极低的 VCEsat
● 低断开损耗
● 短尾线电流
● 低 EMI
● 最大接点温度为 175°C
●### IGBT 分立件和模块，Infineon
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.44 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKP10N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKP10N60TXKSA1 单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
