类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 428 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 121 ns |
额定功率(Max) | 428 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 428000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.03 mm |
宽度 | 21.1 mm |
高度 | 5.16 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管,600 和 650V
●一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
● 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
● 极低的 VCEsat
● 低断开损耗
● 短尾线电流
● 低 EMI
● 最大接点温度为 175°C
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IKW75N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IKW75N60TFKSA1 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IKW75N60H3 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IKW75N60H3FKSA1 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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