| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 395 W |
| 功耗 | 395000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 650 V |
| 反向恢复时间 | 85 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 395000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon IKW75N65EL5XKSA1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
IGBT管/模块 IKW75N65EH5 TO-247
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IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
IGBT管/模块 IKW75N65ES5 TO-247-3
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