类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-163 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
集电极最大允许电流 | 600mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 600mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100~600 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •General purpose (dual digital transistors) •Two DTC323T chips in a SMT package. •Mounting possible with SMT3 automatic mounting machines. •Transistor elements are independent, eliminating interference. 描述与应用| 特点 •通用(双数字晶体管) •两个DTC323T的芯片在SMT包装。 •安装可能与SMT3可能自动装配机。 •晶体管元素是独立的,消除干扰。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.05 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件