| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100~600 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •General purpose (dual digital transistors) •Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT package. •Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. •Transistor elements are independent, eliminating interference. 描述与应用| 特点 •通用（双数字晶体管） •的两个DTAK13Ts芯片在EMT或UMT或SMT封装。 •安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 •晶体管元素是独立的，消除干扰
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
IMH3A NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 100~600 300mW/0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记H3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
