| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 180 MHz |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电流 | 150 mA |
| 封装 | SOT-457 |
| 额定功率 | 0.3 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | NPN, PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.15A |
| 最小电流放大倍数 | 120 @1mA, 6V |
| 最大电流放大倍数 | 560 |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.2 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
双重双极性晶体管，ROHM
●每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM IMZ1AT108 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
IMZ1A NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记Z1 用于开关/数字电路
Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 56 A, 0.03 ohm, TO-247, 通孔
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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