| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 32 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.5A |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1137pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 7.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 32W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 500 V 18.5A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
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500V,18.5A,190mOhm,N沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
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