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IPA60R160P6XKSA1
来自 AiPCBA

IPA60R160P6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:IPA60R160P6XKSA1 数据手册 (19 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPA60R160P6XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率34 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻144 mΩ
极性N-Channel
功耗34 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)23.8A
上升时间7.6 ns
输入电容值(Ciss)2080pF @100V(Vds)
额定功率(Max)34 W
下降时间5.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)34W (Tc)
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IPA60R160P6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA60R160P6XKSA1 数据手册

IPA60R160P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 3.06 MByte
IPA60R160P6XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA60R160P6XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
42 页 / 1.35 MByte
IPA60R160P6XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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