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IPA60R400CEXKSA1
来自 AiPCBA

IPA60R400CEXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPA60R400CEXKSA1 数据手册 (17 页)
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IPA60R400CEXKSA1 数据手册 (17 页)
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IPA60R400CEXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率31 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.34 Ω
极性N-Channel
功耗31 W
阈值电压3 V
输入电容700 pF
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)10.3A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)700pF @100V(Vds)
额定功率(Max)31 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)31W (Tc)
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IPA60R400CEXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA60R400CEXKSA1 数据手册

IPA60R400CEXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
17 页 / 1.25 MByte
IPA60R400CEXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA60R400CEXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPA60R400CEXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R400 数据手册

IPA60R400CEXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
IPA60R400CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
650V,14.7A,N沟道功率MOSFET
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