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IPA65R110CFDXKSA1
来自 AiPCBA

IPA65R110CFDXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IPA65R110CFDXKSA1 数据手册 (20 页)
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IPA65R110CFDXKSA1 数据手册 (20 页)
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IPA65R110CFDXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率34.7 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.099 Ω
极性N-CH
功耗34.7 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)700 V
连续漏极电流(Ids)31.2A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)3240pF @100V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)34.7W (Tc)
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IPA65R110CFDXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA65R110CFDXKSA1 数据手册

IPA65R110CFDXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
20 页 / 3.76 MByte
IPA65R110CFDXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA65R110CFDXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPA65R110CFDXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPA65R110 数据手册

IPA65R110CFDXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
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