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IPA65R190C7XKSA1
来自 AiPCBA

IPA65R190C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPA65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPA65R190C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPA65R190C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPA65R190C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率30 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.168 Ω
极性N-Channel
功耗30 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)1150pF @400V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)30W (Tc)
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IPA65R190C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA65R190C7XKSA1 数据手册

IPA65R190C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.69 MByte
IPA65R190C7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA65R190C7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPA65R190C7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPA65R190C7 数据手册

IPA65R190C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA65R190C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
IPA65R190C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
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