Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPA65R600C6 Datasheet 文档
IPA65R600C6
来自 AiPCBA

IPA65R600C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
PDF文件:IPA65R600C6 数据手册 (19 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPA65R600C6 数据手册 (19 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPA65R600C6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻540 mΩ
极性N-CH
功耗28 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)700 V
漏源击穿电压650 V
连续漏极电流(Ids)7.3A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)440pF @100V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)63 W
查看数据手册 >

IPA65R600C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IPA65R600C6 数据手册

IPA65R600C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 2.1 MByte

IPA65R600 数据手册

IPA65R600E6 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA65R600E6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
IPA65R600E6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA65R600E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
IPA65R600C6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
PG-TO220 整包
IPA65R600C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet