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IPA80R1K4CE
来自 AiPCBA

IPA80R1K4CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:800V,1400mΩ,3.9A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPA80R1K4CE 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPA80R1K4CE 数据手册 (15 页)
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IPA80R1K4CE 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
连续漏极电流(Ids)3.9A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)570pF @100V(Vds)
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)31000 mW
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IPA80R1K4CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPA80R1K4CE 数据手册

IPA80R1K4CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.02 MByte
IPA80R1K4CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA80R1K4CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPA80R1K4CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
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