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IPA80R450P7XKSA1
来自 AiPCBA

IPA80R450P7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPA80R450P7XKSA1 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPA80R450P7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻450 mΩ
功耗29 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)770pF @500V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)29W (Tc)
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IPA80R450P7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA80R450P7XKSA1 数据手册

IPA80R450P7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.91 MByte
IPA80R450P7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA80R450P7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPA80R450P7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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场效应管(MOSFET) IPA80R450P7 TO-220FP-3
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V
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