Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPA80R650CEXKSA1 Datasheet 文档
IPA80R650CEXKSA1
来自 AiPCBA

IPA80R650CEXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:TO-220 整包
PDF文件:IPA80R650CEXKSA1 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPA80R650CEXKSA1 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPA80R650CEXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
额定功率33 W
极性N-CH
功耗33 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @100V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)33W (Tc)
查看数据手册 >

IPA80R650CEXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IPA80R650CEXKSA1 数据手册

IPA80R650CEXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.04 MByte
IPA80R650CEXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IPA80R650CEXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.05 MByte

IPA80R650 数据手册

IPA80R650CEXKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V
IPA80R650CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
800V,8A,N沟道功率MOSFET
IPA80R650CEXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
TO-220 整包
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet