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IPA90R800C3
来自 AiPCBA

IPA90R800C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPA90R800C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 900 V, 0.62 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPA90R800C3 数据手册 (10 页)
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IPA90R800C3 数据手册 (10 页)
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IPA90R800C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.62 Ω
极性N-Channel
功耗33 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)6.90 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max)33 W
下降时间32 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)33W (Tc)
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IPA90R800C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA90R800C3 数据手册

IPA90R800C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.26 MByte
IPA90R800C3 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA90R800C3 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
38 页 / 0.73 MByte
IPA90R800C3 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPA90R800 数据手册

IPA90R800C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA90R800C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 900 V, 0.62 ohm, 10 V, 3 V
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