| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | TO-263-7 |
| 额定功率 | 250 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 7 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0012 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 180A |
| 上升时间 | 79 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 21000pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
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IPB016N06L3 系列 60 V 1.6 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-7
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Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀
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