Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPB017N10N5ATMA1 Datasheet 文档
IPB017N10N5ATMA1
来自 AiPCBA

IPB017N10N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB017N10N5ATMA1 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPB017N10N5ATMA1 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPB017N10N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TO-263-7
额定功率375 W
通道数1 Channel
针脚数7 Position
漏源极电阻0.0015 Ω
极性N-CH
功耗375 W
阈值电压2.2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)180A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)15600pF @50V(Vds)
额定功率(Max)375 W
下降时间27 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375W (Tc)
查看数据手册 >

IPB017N10N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度9.25 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IPB017N10N5ATMA1 数据手册

IPB017N10N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.23 MByte
IPB017N10N5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB017N10N5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB017N10N5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB017N10N5 数据手册

IPB017N10N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
IPB017N10N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
IPB017N10N5LF 数据手册
Infineon（英飞凌）
IPB017N10N5LFATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3.3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet