| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | TO-263-7 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 7 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0016 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 2.8 V |
| 输入电容 | 10700 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 180A |
| 上升时间 | 73 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 10700pF @40V(Vds) |
| 下降时间 | 33 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
表面贴装型 N 通道 80 V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB019N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon（英飞凌）
OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistor
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB019N08N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V
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