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IPB020N10N5LFATMA1
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IPB020N10N5LFATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.3 V
PDF文件:IPB020N10N5LFATMA1 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPB020N10N5LFATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0018 Ω
功耗313 W
阈值电压3.3 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)650pF @50V(Vds)
下降时间82 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)313000 mW
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IPB020N10N5LFATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPB020N10N5LFATMA1 数据手册

IPB020N10N5LFATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.98 MByte
IPB020N10N5LFATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB020N10N5LFATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB020N10N5LFATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB020N10N5 数据手册

IPB020N10N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPB020N10N5 TO-263-3
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V
IPB020N10N5LF 数据手册
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IPB020N10N5LFATMA1 数据手册
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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.3 V
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