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IPB042N10N3 G
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IPB042N10N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB042N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:IPB042N10N3 G 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3 G 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0036 Ω
极性N-Channel
功耗214 W
阈值电压2.7 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
上升时间59 ns
输入电容值(Ciss)8410pF @50V(Vds)
下降时间14 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)214W (Tc)
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IPB042N10N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB042N10N3 G 数据手册

IPB042N10N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.73 MByte
IPB042N10N3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB042N10N3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB042N10N3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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