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IPB072N15N3G
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IPB072N15N3G 技术参数、封装参数

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IPB072N15N3G 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IPB072N15N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB072N15N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V
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OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB072N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V
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