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IPB073N15N5ATMA1
来自 AiPCBA

IPB073N15N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 150 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.8 V
PDF文件:IPB073N15N5ATMA1 数据手册 (12 页)
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IPB073N15N5ATMA1 数据手册 (12 页)
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IPB073N15N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0056 Ω
功耗214 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)150 V
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)3600pF @75V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)214000 mW
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IPB073N15N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度9.25 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB073N15N5ATMA1 数据手册

IPB073N15N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.95 MByte
IPB073N15N5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB073N15N5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB073N15N5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB073N15N5 数据手册

IPB073N15N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 150 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.8 V
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