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IPB120P04P404ATMA1
来自 AiPCBA

IPB120P04P404ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3-2
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 V
PDF文件:IPB120P04P404ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPB120P04P404ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPB120P04P404ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3-2
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0026 Ω
极性P-CH
功耗136 W
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)120A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)14790pF @25V(Vds)
下降时间52 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)136W (Tc)
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IPB120P04P404ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB120P04P404ATMA1 数据手册

IPB120P04P404ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.23 MByte
IPB120P04P404ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPB120P04P404ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPB120P04P404ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 V
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