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IPB180N08S402ATMA1
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IPB180N08S402ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB180N08S402ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPB180N08S402ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPB180N08S402ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装TO-263-7
针脚数7 Position
漏源极电阻0.0018 Ω
极性N-CH
功耗277 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)180A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)11550pF @25V(Vds)
下降时间50 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)277W (Tc)
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IPB180N08S402ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB180N08S402ATMA1 数据手册

IPB180N08S402ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.19 MByte
IPB180N08S402ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPB180N08S402ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPB180N08S402ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

IPB180N08S402 数据手册

IPB180N08S4-02 数据手册
Infineon（英飞凌）
80V,180A,2.2mΩ,N沟道汽车MOSFET
IPB180N08S402ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V
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