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IPB180N10S4-02
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IPB180N10S4-02 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:100V,180A,2.5mΩ,N沟道汽车MOSFET
PDF文件:IPB180N10S4-02 数据手册 (9 页)
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IPB180N10S4-02 数据手册 (9 页)
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IPB180N10S4-02 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-263-7
通道数1 Channel
漏源极电阻2.5 mΩ
极性N-CH
功耗300 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)180A
上升时间9 ns
下降时间40 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IPB180N10S4-02 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB180N10S4-02 数据手册

IPB180N10S4-02 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.2 MByte
IPB180N10S4-02 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPB180N10S4-02 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPB180N10S4-02 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

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