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IPB180N10S4-03 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-7-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPB180N10S4-03 数据手册
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IPB180N10S4-03 数据手册 (138 页)
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IPB180N10S4-03 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TO-263-7-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
180A
IPB180N10S4-03 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
IPB180N10S4-03 符合标准
IPB180N10S4-03 数据手册
IPB180N10S4-03
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
IPB180N10S4-03
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
IPB180N10S4-03
开发手册
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte
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晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.7 V
IPB180N10
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Infineon(英飞凌)
100V,180A,2.5mΩ,N沟道汽车MOSFET
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