类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 7 Pin |
封装 | TO-263-7 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 7 Position |
漏源极电阻 | 0.0018 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 150 W |
阈值电压 | 2.2 V |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 180A |
上升时间 | 28 ns |
输入电容值(Ciss) | 14400pF @25V(Vds) |
下降时间 | 119 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 150 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 9.25 mm |
高度 | 4.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
●Infineon
●OptiMOS
●™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
●增强型模式
●雪崩等级
●低切换和传导功率损耗
●无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
●标准封装
●OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
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INFINEON IPB180P04P4L02ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V
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INFINEON IPB180P04P4L-02 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P403ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
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