Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPB50R299CPATMA1 Datasheet 文档
IPB50R299CPATMA1
来自 AiPCBA

IPB50R299CPATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3-2
描述:Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CPATMA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
PDF文件:IPB50R299CPATMA1 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPB50R299CPATMA1 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPB50R299CPATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3-2
额定功率104 W
极性N-Channel
功耗104 W
漏源极电压(Vds)550 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1190pF @100V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)104W (Tc)
查看数据手册 >

IPB50R299CPATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.572 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IPB50R299CPATMA1 数据手册

IPB50R299CPATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.54 MByte
IPB50R299CPATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB50R299CPATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPB50R299CPATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB50R299 数据手册

IPB50R299CPATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CPATMA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
IPB50R299CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet