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IPB60R040C7
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IPB60R040C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263
描述:场效应管(MOSFET) IPB60R040C7 TO-263-3
PDF文件:IPB60R040C7 数据手册 (14 页)
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IPB60R040C7 数据手册 (14 页)
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IPB60R040C7 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-263
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)4340pF @400V(Vds)
下降时间3.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)227000 mW
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IPB60R040C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPB60R040C7 数据手册

IPB60R040C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.18 MByte
IPB60R040C7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R040C7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPB60R040C7 开发手册
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37 页 / 2.01 MByte

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场效应管(MOSFET) IPB60R040C7 TO-263-3
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