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IPB60R099C7ATMA1
来自 AiPCBA

IPB60R099C7ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道 650V 22A
PDF文件:IPB60R099C7ATMA1 数据手册 (7 页)封装尺寸在1 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IPB60R099C7ATMA1 数据手册 (7 页)
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IPB60R099C7ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗278 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)37.9A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)278000 mW
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IPB60R099C7ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPB60R099C7ATMA1 数据手册

IPB60R099C7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.11 MByte
IPB60R099C7ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R099C7ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPB60R099C7ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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IPB60R099C7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 650V 22A
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