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IPB60R120C7
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IPB60R120C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:场效应管(MOSFET) IPB60R120C7 TO-263
PDF文件:IPB60R120C7 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPB60R120C7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-263-3
工作温度(Max)150.0 ℃
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IPB60R120C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPB60R120C7 数据手册

IPB60R120C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.34 MByte
IPB60R120C7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R120C7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPB60R120C7 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.103 ohm, 10 V, 3.5 V
IPB60R120C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPB60R120C7 TO-263
IPB60R120P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 600V 26A
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