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IPB60R180C7ATMA1
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IPB60R180C7ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPB60R180C7ATMA1 数据手册 (30 页)典型应用电路图在15 页
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IPB60R180C7ATMA1 数据手册 (30 页)
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IPB60R180C7ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.155 Ω
极性N-CH
功耗68 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)30A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)1080pF @400V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)68000 mW
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IPB60R180C7ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPB60R180C7ATMA1 数据手册

IPB60R180C7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 1.58 MByte
IPB60R180C7ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R180C7ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPB60R180C7ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB60R180C7 数据手册

IPB60R180C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 600V 13A
IPB60R180C7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
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