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IPB60R180P7
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IPB60R180P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263
描述:N沟道 650V 18A
PDF文件:IPB60R180P7 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPB60R180P7 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-263
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)1081pF @400V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)72000 mW
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IPB60R180P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPB60R180P7 数据手册

IPB60R180P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.1 MByte
IPB60R180P7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R180P7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.89 MByte
IPB60R180P7 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB60R180 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
IPB60R180P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 650V 18A
IPB60R180C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 600V 13A
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