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IPB60R180P7ATMA1
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IPB60R180P7ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPB60R180P7ATMA1 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPB60R180P7ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.145 Ω
功耗72 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)1081pF @400V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)72000 mW
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IPB60R180P7ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPB60R180P7ATMA1 数据手册

IPB60R180P7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.1 MByte
IPB60R180P7ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R180P7ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.89 MByte
IPB60R180P7ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB60R180P7 数据手册

IPB60R180P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 650V 18A
IPB60R180P7ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
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