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IPB60R299CP
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IPB60R299CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB60R299CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB60R299CP 数据手册 (10 页)
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IPB60R299CP 数据手册 (10 页)
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IPB60R299CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.27 Ω
极性N-Channel
功耗96 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max)96 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)96W (Tc)
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IPB60R299CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPB60R299CP 数据手册

IPB60R299CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.54 MByte
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