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IPB60R299CPXT
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IPB60R299CPXT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:D2PAK-263
PDF文件:IPB60R299CPXT 数据手册 (10 页)
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IPB60R299CPXT 数据手册 (10 页)
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IPB60R299CPXT 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装D2PAK-263
极性N-CH
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)11A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @100V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)96000 mW
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IPB60R299CPXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPB60R299CPXT 数据手册

IPB60R299CPXT 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.54 MByte

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