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IPB60R385CPATMA1
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IPB60R385CPATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB60R385CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB60R385CPATMA1 数据手册 (10 页)
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IPB60R385CPATMA1 数据手册 (10 页)
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IPB60R385CPATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率83 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.35 Ω
极性N-Channel
功耗83 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)790pF @100V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)83 W
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IPB60R385CPATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPB60R385CPATMA1 数据手册

IPB60R385CPATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.57 MByte
IPB60R385CPATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB60R385CPATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPB60R385CPATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB60R385 数据手册

IPB60R385CPATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB60R385CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
IPB60R385CP 数据手册
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Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
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