类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.54 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.10 A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 550pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 60 W |
下降时间 | 17 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 9.45 mm |
高度 | 4.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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