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IPB64N25S320ATMA1
来自 AiPCBA

IPB64N25S320ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB64N25S320ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPB64N25S320ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPB64N25S320ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0175 Ω
功耗300 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)250 V
连续漏极电流(Ids)64A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)7000pF @25V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IPB64N25S320ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度9.25 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB64N25S320ATMA1 数据手册

IPB64N25S320ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.19 MByte
IPB64N25S320ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPB64N25S320ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPB64N25S320ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

IPB64N25S320 数据手册

IPB64N25S3-20 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 250V 64A
IPB64N25S320ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
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