| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.099 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 277.8 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 700 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31.2A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3240pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 277.8 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 277.8W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.31 mm |
| 宽度 | 4.57 mm |
| 高度 | 9.45 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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20 页 / 3.76 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB65R110CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IPB65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
650V,110mΩ,31.2A,N沟道功率MOSFET
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