类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-263-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 277.8 W |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 31.2A |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 9.25 mm |
高度 | 4.4 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
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INFINEON IPB65R110CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IPB65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
650V,110mΩ,31.2A,N沟道功率MOSFET
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