类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263 |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 3240pF @100V(Vds) |
下降时间 | 6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO263-3
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB65R110CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
650V,110mΩ,31.2A,N沟道功率MOSFET
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