| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.171 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 151 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.5A |
| 上升时间 | 8.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1850pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 151 W |
| 下降时间 | 6.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 151W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.31 mm |
| 宽度 | 9.45 mm |
| 高度 | 4.57 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
20 页 / 3.73 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB65R190CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
