| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 104.2 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 280 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 104.2 W |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.4A |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1100pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 104200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
表面贴装型 N 通道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
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晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
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650V的CoolMOS C6 CFD功率晶体管 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPB65R310CFDA TO-263-3
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