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IPB65R660CFDATMA1
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IPB65R660CFDATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB65R660CFDATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IPB65R660CFDATMA1 数据手册 (21 页)
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IPB65R660CFDATMA1 数据手册 (21 页)
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IPB65R660CFDATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率62.5 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.594 Ω
极性N-Channel
功耗62.5 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)615pF @100V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)62500 mW
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IPB65R660CFDATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.57 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPB65R660CFDATMA1 数据手册

IPB65R660CFDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
21 页 / 3.06 MByte
IPB65R660CFDATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB65R660CFDATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPB65R660CFDATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB65R660 数据手册

IPB65R660CFDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB65R660CFDATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
IPB65R660CFDAATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 650V 6A
IPB65R660CFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB65R660CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
IPB65R660CFDA 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 650V 6A
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