| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 8670pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 137 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
●Infineon
●OptiMOS
●™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
●增强型模式
●雪崩等级
●低切换和传导功率损耗
●无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
●标准封装
●OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.16 MByte
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4L04ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4L07ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P405ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
