类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 280 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 208 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 900 V |
漏源击穿电压 | 900 V |
连续漏极电流(Ids) | 15A |
上升时间 | 20 ns |
输入电容值(Ciss) | 2400pF @100V(Vds) |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 208 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 9.25 mm |
高度 | 4.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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