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IPB90R340C3ATMA1
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IPB90R340C3ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
PDF文件:IPB90R340C3ATMA1 数据手册 (10 页)
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IPB90R340C3ATMA1 数据手册 (10 页)
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IPB90R340C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率208 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻280 mΩ
极性N-CH
功耗208 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
连续漏极电流(Ids)15A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @100V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)208W (Tc)
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IPB90R340C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPB90R340C3ATMA1 数据手册

IPB90R340C3ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.89 MByte
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